算化学或是计算材料学的实验室,蹭一台能够进行高性能运算的服务器应该也暂时够用了。
比如,魏老师对门219办公室的裴子材教授,就是做“无机半导体材料和介电材料的第一原理计算”。
许秋选修过裴子材的《计算材料学》课程,这个老师还是比较有意思的。
他在上课的时候,总是会忍不住笑出来,不是很能控制自己的面部表情,也因此同学们私下称他为“裴哈哈”。
……
在等待计算结果的过程中,许秋也找了很多关于PTB7-TH的文献,并总结了PTB7-TH的各项性能,主要是能级和禁带宽度。
与文献对照后发现,模拟计算出来的数据与实际上还是有一定的差距的,偏差值大约在0-电子伏特左右。
相较于原始未改进的版本,这个差距已经非常小了。
原始的DFT模拟,因为把大分子材料当做小分子材料进行计算,所以测试出来能级的误差通常在电子伏特以上,而禁带宽度的误差甚至超过了1电子伏特。
要知道,合适的光伏材料,禁带宽度也就是在1-2电子伏特之间,这误差都接近50%了,甚至已经不能说是误差了。
这也是学姐之前说这种方法使用的人越来越少的原因。
对于改进版本后,仍存在的小幅误差,许秋也考虑了可能的原因:
一方面,像PTB7-TH这种分子,它其中的一个结构单元,TT,不是轴对称的,因此它在大分子中的排布规律不确定。
假如所有的TT单元都朝着一个方向排布,那么得到的大分子材料的结晶性能就较强,禁带宽度也较小,性能通常也比较好。
反之,如果是胡乱排列,材料的性能则较差。
另一方面,他学过《有机化学》,知道合成反应都是存在副反应的。
理想情况下,你想让小分子单元手拉手连成一条直线,形成一条直直的大分子链。
但实际情况可能是有的人手拉着别人的脚,有的人头发被别人扯住了,还有人断了胳膊断了腿。
虽然上述情况发生的可能性很小,或许只有1%-5%。
但对于数十数百个这样的人,总会出现各种意外,导致最终得到的材料并不是理想中的材料,而存在缺陷。
因此,理论得到的结果终究还是需要用实践来检验。
……
许秋用软件画出他构想中的分子结构,然后进行进阶DFT模拟计算。
A单元他选择了结构简单的苯并噻二唑BT单元,D单元则选择了噻吩,从一个噻吩到四个相连的噻吩,分别为T、2T、3T、4T。
模拟计算需要一个半小时的时间,他开启了2倍时间加速。
在这段时间内,因为不能离开模拟实验室,他索性在里面做起了组会PPT。
上周学姐考虑到他第一次参加组会,没有经验,才替他把他的工作讲了,这周他就要自己上场了。
先是这周的实验进展,包括器件性能的重复性测试、稳定性测试。
然后是他设计的分子的合成路线。
看似他设计了四个分子,但实际上是四类分子,因为合成中的变化特别多。
比如可以改变支链的大小、种类、位置、数量,可以选择是否引入杂原子,可以改变杂原子的位置、数量等等。
当他完成组会PPT后,模拟结果也全部出来了。
从能级结构和禁带宽度上来看,四类分子都是比较合适的光伏材料。
不过,也只是理论上的。
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