,不可能让同一领域重复发表太多文章的,除非是那种大热门的领域,或是某一领域短期连续取得重大突破。
而现在许秋10%的效率,谈得上是突破,却不算重大突破。
将心中的杂念抛开,许秋开始仔细分析数据。
不论如何,作为科研工作者,最核心的还是要把自己的工作做好。
一共有上千个器件的J-V数据结果,光是分析这些庞杂的数据,许秋就花费了半个小时的时间,也得到了不少结论:
第一,最佳的体系为H22:IDTT-ICIN,效率达到了%,原先H22:IDT-ICIN体系的效率是%,这表明IDTT单元相比于原先的IDT单元,光电性能提升了不少。
许秋立刻认识到IDTT-ICIN将是一个非常重要的标样体系,便将IDTT-ICIN命名为ITIC,对于标样体系来说,名称简单一些比较好,就比如PCE10、P3HT、PCE11、PCBM这些。名字简单就容易被其他人记忆,也容易得到同行们的认可。
此外,ITIC的体系,和3D-PDI体系不同,这种ADA分子的最优器件加工条件,不需要退火后处理,也不需要溶剂添加剂,只需要正常的喷涂即可,非常的简单,很“干净”。
而且,正常旋涂出来的器件性能要比喷涂法制备的器件低2%左右,仅为%,如果其他人不知道喷涂这个技巧,就会比较难以重复出来这个结果。
第二,基于IDT-ICIN-4F/4Cl/DM这些结构,性能相较于IDT-ICIN,-4F和-DM体系有所提高,幅度也不算小,从%分别提升到了%和%,而-4Cl体系反而略微降低,至%。
第三,学妹的H3x体系,也就是在BDT单元上引入氟原子后,器件的性能并没有提高,反而略微降低。
根据现有的文献,从统计学上来看,BDT上引入氟原子,性能提升的概率大概在20%左右,当然的想法是虽然这个概率不高,但也值得尝试,现在扑街了,也没什么大不了的。
因为哪怕是扑街的材料,和ITIC结合,器件性能也有%,最后拿出来水一篇ACSAMI还是没什么问题的。
第四,博后学姐的FN-ICIN体系,被许秋简称为FNIC,效率最高可达%,最优的匹配给体为窄带隙的PCE10,而非宽带隙的H22系列。
许秋推断可能是分子共轭长度延长,光吸收范围会向近红外的方向移动,以至于和窄带隙的材料形成互补的光吸收。
他顺手让模拟实验人员测了一个光吸收光谱,得以验证,IDT-ICIN、ITIC、FNIC的共轭长度分别为5、7、9,光吸收的范围大致各为550-75
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